作者：郑志霞,冯勇建 单位：中国电子学会 出版：《电子测量与仪器学报》2013年第12期 页数：7页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFDZIY2013120080 DOC编号：DOCDZIY2013120089 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
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    • 介绍了一种基于SOI/硅片键合技术制作的接触电容式高温压力传感器结构，并对传感器的测试装置、测试方法进行详细的介绍后，对传感器进行压力测试和温度特性测试。压力测试结果表明，传感器线性工作区压力为110~280 kPa，灵敏度约为0.14 pF/kPa；温度特性测试结果表明，传感器具有正温度效应，在30~300℃，传感器输出误差约为0.5%。文中还分析了热胀冷缩及介电常数温度系数对传感器温度效应的影响，以及设计了参考电容及运算放大器式传感器测量电路来消除温度效应。

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