《我国气敏传感器专利现状及发展趋势分析》PDF+DOC

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2. 《新型Al_2O_3基半导体陶瓷甲烷气体传感器》PDF+DOC 研制了一种新型气敏材料体系———Ａｌ２Ｏ３基半导体陶瓷材料体系，并用以制备了高性能的对甲烷敏感的气体传感器．这类新型高性能甲烷气体传感器具有工作温度低、气体选择性好、检测灵敏度与气体浓度呈近似线性关系、响应时间和恢复时间快等优点，可望进行工业规模生产．...
3. 《钼酸铋系列气敏材料研究取得进展》PDF+DOC 研究与开发新型气敏材料，是适应当代气体监控技术发展所需要着力解决的问题。始自本世纪60年代的传统气敏传感器，多采用以SnO~2、ZnO为主体，并常添加铋、锑等元素氧化物与贵金属以改进其性能的气敏材料。自80年代末，国外开始根据钼酸铋的...
4. 《In_2O_3纳米材料气敏传感器制备方法综述》PDF+DOC 氧化铟具有较宽的禁带宽度、较小的电阻率和较高的催化活性，是一种重要的n型半导体。氧化铟材料对氧化性气体和还原性气体都表现出良好的气敏性能，被广泛应用于半导体气体传感器。半导体气体传感器的性能，如灵敏度、选择性、稳定性、响应/恢复时间等，与气敏材料自身的理化性能、形貌、结构具有直接的关系。本文对近年来......
5. 《金属氧化物掺杂对ZnO气敏特性的影响》PDF+DOC 掺杂金属氧化物可大大提高ZnO的气敏特性，目前对这种性质的研究成为了研究热点。本文综述了掺杂金属氧化物对ZnO气敏特性的主要影响及机理；总结了目前研究中所掺杂的多种金属氧化物，并就各种掺杂物对ZnO气敏特性的作用进行了具体分析。...
6. 《半导体气敏元件的选择性研究》PDF+DOC 全面介绍了半导体气敏元件的选择性研究在国内外的发展状况 ，并重点论述了选择性研究中出现的一系列新方法、新材料及新技术等 ；在半导体气敏材料中加入催化剂和添加剂、控制气敏传感器的工作温度、使用气体过滤膜、使气敏材料纳米化等是提高半导体气体传感器的选择性的一个主要途径。在气敏元件选择性研究的新进展等方面......
7. 《金属氧化物半导体气敏传感器稳定性研究进展》PDF+DOC 金属氧化物半导体(MOS)气敏传感器的稳定性是气敏器件实用化进程中最具有挑战性的因素。影响器件稳定性的主要因素包括颗粒尺寸、颈部宽度、微裂纹、电极、湿度和温度的变化。颗粒的长大和颗粒间颈部尺寸的变化降低了耗尽层对总电阻变化的贡献；微裂纹的加剧使器件的电阻发生漂移，并且为水蒸气、氧气和待测气体扩散到敏......
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