作者：胡佳佳,叶雪梅,胡静 单位：常州大学 出版：《常州大学学报(自然科学版)》2015年第02期 页数：4页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFJSSY2015020080 DOC编号：DOCJSSY2015020089 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑

    • 采用MEMS技术制备了尺寸为500μm&#215；100μm&#215；15μm的微尺度磁致伸缩材料传感器，发现MEMS技术沉积过程中传感器内部不可避免地产生了内应力，对传感器磁性能带来不利影响。对微尺度磁致伸缩材料传感器进行真空热处理，旨在消除内应力，进一步提高传感器磁学性能。结果表明：真空退火可减小或消除传感器内应力，提高磁学性能，其中最佳退火温度为250℃，时间为2h。该温度下退火不仅可完全释放传感器内应力，还可以改善波谱质量，提高共振频率。

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