作者:陈锦荣 单位:天津仪表集团 出版:《仪器仪表用户》2016年第12期 页数:5页  (PDF与DOC格式可能不同) PDF编号:PDFDZYQ2016120110 DOC编号:DOCDZYQ2016120119 下载格式:PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
《基于硅硅键合技术的高精度压力传感器的研究》PDF+DOC2017年第05期 李颖,张治国,郑东明,梁峭,张哲,刘剑,祝永峰 《基于MEMS工艺的SOI高温压力传感器设计》PDF+DOC2015年第09期 李丹丹,梁庭,李赛男,姚宗,熊继军 《一种高精度压力传感器的设计与实现》PDF+DOC2016年第22期 李彦芳,杨晓斌,郑璐,刘珂 《MEMS高温压力传感器研究与进展》PDF+DOC2009年第11期 张冬至,胡国清,陈昌伟 《谐振式MEMS压力传感器的设计与分析》PDF+DOC2019年第12期 许高斌,胡海霖,徐枝蕃,陈兴,马渊明 《高精度扩散硅压力传感器的温度补偿》PDF+DOC1997年第04期 张秀珍,杨魁,马子龙 《基于MPX5100型传感器的高精度数据采集系统》PDF+DOC2005年第04期 李良钰 《ANSYS在高精度压力传感器感压膜片结构分析中的应用》PDF+DOC2011年第06期 黄林静,朱目成 《压力传感器温漂及非线性校准技术研究》PDF+DOC2013年第07期 李彦芳 《一种MEMS压力传感器的标定和温度补偿方法》PDF+DOC 沈晓春,刘利,周飞
  • 基于MEMS技术的时差振荡高精度硅压力传感器是一种全新理念的高精度压力传感器。它通过检测压力敏感膜片正向和反向电阻的放电时间的比值间接测量压力,为数字信号输出。其抗干扰能力强,性能稳定、结构紧凑,相对微硅压阻压力传感器和微硅电容式压力传感器精度高、稳定可靠,主要性能指标和微硅谐振式压力传感器相当,但较之微硅谐振式压力传感器具有工艺简单、成本低、便于产业化生产。其原理由安徽皖科电子工程有限公司首次提出,具有原创性,拥有自主知识产权,并掌握核心技术。

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