作者:王伟忠,张建志,何洪涛,杨拥军 单位:中国电子科技集团公司第十三研究所 出版:《微纳电子技术》2016年第04期 页数:6页  (PDF与DOC格式可能不同) PDF编号:PDFBDTQ2016040070 DOC编号:DOCBDTQ2016040079 下载格式:PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
《一种新型MEMS压阻式SiC高温压力传感器》PDF+DOC2015年第04期 何洪涛,王伟忠,杜少博,胡立业,杨志 《一种MEMS高温压力传感器》PDF+DOC2016年第06期 王伟忠,何洪涛,卞玉民,杨拥军 《一种谐振式MEMS压力传感器单芯片级真空封装和低应力组装方法》PDF+DOC2013年第06期 张健,王军波,曹明威,陈德勇 《MEMS传感器现状及应用》PDF+DOC2011年第08期 王淑华 《日本基于MEMS传感器的研究进展》PDF+DOC2004年第01期 焦正,吴明红 《一种用于恶劣环境下的贴片式MEMS压力传感器》PDF+DOC2019年第07期 宋子军,张聪,赵涌,袁世辉 《一种压力传感器的频率输出转换接口电路》PDF+DOC2000年第06期 宋吉江,牛轶霞 《同时具有电压输出和频率输出的集成压阻压力传感器》PDF+DOC1985年第04期 S.Sugiyama,李华 《电磁激励谐振式MEMS压力传感器闭环控制研究》PDF+DOC2010年第08期 刘猛,王军波,李玉欣,陈德勇 《一种新型微机械谐振式压力传感器研究》PDF+DOC2009年第06期 史晓晶,陈德勇,王军波,毋正伟,刘磊
  • 针对高铁、飞机等高速运行设施对动态压力监测提出的要求,研制了一种压阻式微电子机械系统(MEMS)超薄动态压力传感器。采用有限元分析(FEA)软件ANSYS对5种压力传感器芯片结构进行了仿真对比分析,结合MEMS加工工艺,设计的传感器芯片采用线性好、灵敏度高、固有频率高的单岛膜结构。利用硅通孔(TSV)技术对传感器抗冲击、防水、可靠性等性能进行了优化设计,采用硅微MEMS工艺加工了动态压力传感器芯片,并完成了传感器的超薄封装,最终厚度为0.9~1 mm。对传感器的基本性能、耐冲击、防水特性进行了测试,结果表明传感器的基本性能良好,非线性度为0.076%满量程输出(FSO),灵敏度为0.23 mV/kPa/V,非重复性为0.041%FSO,并且可抗20 000g冲击,达到5级防水。

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