《渗碳陶瓷低温温度传感器磁致电阻效应研究》PDF+DOC
作者:孟秋敏
单位:中国电子科技集团公司第十六研究所
出版:《低温与超导》2016年第04期
页数:3页 (PDF与DOC格式可能不同)
PDF编号:PDFDWYC2016040070
DOC编号:DOCDWYC2016040079
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通过对渗碳陶瓷低温温度传感器在0—16T磁场环境、2—320K温区的磁致电阻效应研究,以及与Cernox磁效应的对比分析,得到以下实验结果:在2—10K,渗碳陶瓷磁效应变化比较明显,随温度的降低而升高,随场强近似正系数线性变化,且温度越低,变化率越大;在2—10K,渗碳陶瓷由磁阻引起的误差为负误差,且场强越高,误差越大,误差随温度出现了近似V字形的变化,在7K处误差到达了最高值,16T、7K处的误差为-0.877K;在2—14K,渗碳陶瓷磁效应明显比CX-1050大,在50—300K渗碳陶瓷磁效应比CX-1050小。
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