作者：王伟忠,何洪涛,卞玉民,杨拥军 单位：中国电子科技集团公司第十三研究所 出版：《微纳电子技术》2016年第06期 页数：7页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFBDTQ2016060070 DOC编号：DOCBDTQ2016060079 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
《一种新型MEMS压阻式SiC高温压力传感器》PDF+DOC2015年第04期 何洪涛,王伟忠,杜少博,胡立业,杨志 《基于MEMS工艺的SOI高温压力传感器设计》PDF+DOC2015年第09期 李丹丹,梁庭,李赛男,姚宗,熊继军 《MEMS超薄动态压力传感器》PDF+DOC2016年第04期 王伟忠,张建志,何洪涛,杨拥军 《绝缘体上硅高温压力传感器研究》PDF+DOC2004年第02期 张为,姚素英,张生才,赵毅强,张维新 《一种SOI高温压力传感器敏感芯片》PDF+DOC2014年第04期 王伟,梁庭,李赛男,洪应平,葛冰儿,郑庭丽,贾平岗,熊继军 《耐高温动态压力传感器与实验分析研究》PDF+DOC2017年第02期 热合曼·艾比布力,王鸿雁,薛方正,黄琳雅,皇咪咪,于明智,赵立波 《高温压力传感器现状与展望》PDF+DOC2002年第04期 张为,姚素英,张生才,刘艳艳,曲宏伟 《MEMS高温压力传感器研究与进展》PDF+DOC2009年第11期 张冬至,胡国清,陈昌伟 《高温压力传感器温度特性的芯片内补偿技术》PDF+DOC2002年第02期 曲宏伟,姚素英,张生才,赵毅强,张为 《MEMS高温接触式电容压力传感器》PDF+DOC2006年第07期 冯勇建

    • 基于硅压阻效应，利用微电子机械系统(MEMS)技术，研制了一种可用于多种领域的高温绝压压力传感器。为了达到耐高温的目标，传感器芯片采用绝缘体上硅(SOI)硅片加工，并利用有限元软件ANSYS对传感器芯片结构进行了应力仿真分析。同时，对传感器的电阻结构、金属布线系统、传感器支撑层键合技术及流片工艺进行了设计，完成了芯片的加工。设计了传感器耐高温封装结构，完成了传感器的初级封装。最后，对常规MEMS压力传感器及研制的高温压力传感器的基本性能、电阻温度特性、漏电流温度特性进行了测试和对比，实验结果表明研制的高温压力传感器能够耐受350℃的高温。

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