作者：高润,牛春晖,李晓英 单位：重庆市光学机械研究所 出版：《激光杂志》2016年第09期 页数：5页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFJGZZ2016090030 DOC编号：DOCJGZZ2016090039 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
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    • 为了研究激光对图像传感器的干扰机理，利用632nm激光开展了对CCD和CMOS两种图像传感器的干扰实验，将实验采集的数字图像进行处理，提取了不同激光功率下，图像横纵向最大干扰宽度，并从CCD和CMOS内部结构上解释了产生干扰差异的原因。之后利用激光光强关系式推导出最大干扰宽度与激光辐照光功率之间的关系，并根据此关系拟合了CCD横向和CMOS横纵向最大干扰宽度曲线，拟合结果与实验数据吻合较好，说明了CCD横向和CMOS横纵向受干扰的主要原因是由光强本身引起的高斯光束整体抬升。对于CCD纵向串扰过程，通过实验可以得出CCD串扰过程分为两个阶段：开始阶段可能是由电子隧穿引起的，后期主要是载流子的饱和扩散。

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