作者：刘卫兵,谭秋林,明安杰,孙西龙,毛海央,岱钦,张岳,姚俊,王玮冰,熊继军 单位：沈阳仪表科学研究院有限公司 出版：《仪表技术与传感器》2017年第06期 页数：5页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFYBJS2017060020 DOC编号：DOCYBJS2017060029 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
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    • 通过制备面向MEMS红外光源的高辐射率多晶硅纳米柱状结构和单晶硅纳米孔结构，以提升红外源表面辐射率，降低器件功耗。制备方法分别为反应离子刻蚀(reactive-ion-etching，RIE)及等离子浸没离子注入(plasma immerse ion implantation，PIII)工艺对单晶硅以及铝电极掩膜的多晶硅表面调控修饰制备。并对2种纳米硅结构进行了吸收率测试，对铝电极掩膜进行了引线键合破坏拉力测试。测试表明，纳米硅结构在3~5μm波段的辐射率可以达到85%以上，暴露在刻蚀气氛后的铝电极掩膜引线键合强度可以达到器件工艺要求。

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