作者:李洪兴 单位:中国国防科技信息中心 出版:《》 页数:1页  (PDF与DOC格式可能不同) PDF编号:PDFXDJI2016110060 DOC编号:DOCXDJI2016110069 下载格式:PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
  • 有报道称,近期美国的2份防务合同清楚表明,军用雷达界正在将其重点转向新的氮化镓(GaN)器件。GaN半导体器件可以使得雷达功率更加强大,电能转换效率更高,有工业界人士甚至把GaN器件的使用称为“继硅半导体器件之后的最重大事件”。雷声公司最近从美国导弹防御局(MDA)获得一份改造其AN/TPY-2雷达的生产线并使之采用氮化镓(GaN)器件的合同,同时还有一份制造GaN雷达的后续合同仍在谈判之中。AN/TPY-2雷达是一种远

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