作者： 单位：美国国际数据集团 出版：《电子产品世界》2017年第01期 页数：1页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFDZCS2017010260 DOC编号：DOCDZCS2017010269 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑

    • 瑞萨电子宣布开发出鳍状MONOS闪存单元瑞萨电子株式会社近日宣布成功开发出分离闸金属氧化氮氧化硅(SGMONOS)闪存单元，该单元采用鳍状晶体管，用于配有电路线宽为16nm至14nm，或更细的片上闪存微控制器(MCU)。SG-MONOS技术能够可靠地应用于汽车应用，瑞萨电子目前正在采用该技术量产40nm的MCU，28nm的MCU也正在研发过程中。这一成功开

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