作者：姚宗,梁庭,张迪雅,李旺旺,齐蕾,熊继军 单位：沈阳仪表科学研究院有限公司 出版：《仪表技术与传感器》2017年第01期 页数：4页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFYBJS2017010050 DOC编号：DOCYBJS2017010059 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
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    • 设计并制备了一种基于SOI(silicon on insulator)材料的MEMS压阻式高温压力敏感芯片。在设计方面，通过理论计算与仿真，对敏感芯片各项参数进行了优化；在工艺方面，设计了基于标准MEMS工艺的制作流程，并创新性地提出了“器件区下沉”工艺步骤，以提高敏感芯片工艺制备的可靠性。采用316L不锈钢基座对MEMS压力敏感芯片进行封装后，完成了温度、压力复合环境标定测试，结果显示其具有较高的测量精度，并可在20~220℃温度范围内稳定工作，具备在高温恶劣环境中应用的前景。

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