作者:任建军,石云波,孙亚楠,冯恒振,康强 单位:中国电子科技集团公司第十三研究所 出版:《微纳电子技术》2017年第05期 页数:4页  (PDF与DOC格式可能不同) PDF编号:PDFBDTQ2017050120 DOC编号:DOCBDTQ2017050129 下载格式:PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
  • 干法刻蚀是压阻式加速度传感器制备中的关键工艺,金属掩膜层的图形化对刻蚀结果尤为重要。金属掩膜层图形化的效果影响着压敏电阻条的刻蚀效果,进而影响传感器性能。利用磁控溅射在Si和SiC衬底上分别溅射金属Al和Ni作为金属掩膜层,并对二者的图形化效果进行对比,同时借助激光共聚焦扫描显微镜(CLSM)观察分析金属腐蚀速率、图形化后结构的形貌、线宽损失等参数。实验证明:对于小结构(线宽小于50μm)而言,金属Al由于致密性不好,图形化后的结构模糊不规则;金属Ni作为掩膜层图形化后的结构形貌清晰、形状规则、线宽损失小。

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