《温度对金属氧化物半导体传感器的影响研究》PDF+DOC
作者:金贵新,李世伟
单位:中大控股
出版:《现代计算机》2016年第23期
页数:3页 (PDF与DOC格式可能不同)
PDF编号:PDFXDJS2016230120
DOC编号:DOCXDJS2016230129
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金属氧化物半导体传感器(MOS)既可以用于检测ppm级的有毒气体也可以用于检测百分比浓度的易燃易爆气体,无论是在工业现场的探测器还是在家庭中的报警器都有很广泛的应用。结合金属氧化物半导体传感器在检测有毒气体时温度对检测精度的影响,提出相应的温度补偿算法。实验表明,补偿后的金属氧化物半导体传感器能够实现对有毒气体的准确检测。
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