《本征ZnO纳米线的原位生长及其对痕量H_2S气体的敏感性》PDF+DOC
作者:丁培,黄海云,徐涛,郑丹,许鹏程,陈莹
单位:沈阳仪表科学研究院有限公司
出版:《仪表技术与传感器》2017年第11期
页数:4页 (PDF与DOC格式可能不同)
PDF编号:PDFYBJS2017110060
DOC编号:DOCYBJS2017110069
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文中研究了通过低温水热法在微传感器表面原位生长不同直径的本征ZnO纳米线,用于痕量H_2S气体的检测,比较了不同尺寸ZnO纳米线传感器对H_2S的气敏性。实验结果表明:在150℃条件下,随着ZnO纳米线直径的缩小(200 nm→50 nm→20 nm),其对H_2S的气敏性显著提高。在相同H_2S气体浓度(5 ppm)下,50 nm ZnO纳米线的响应值是200 nm的5.4倍,检测下限为50 ppb,灵敏度均值达到6.4×;10-2ppm-1;20 nm ZnO的响应值比50 nm ZnO的响应值进一步增大,检测下限达到10 ppb,是50 nm ZnO的5倍,检测灵敏度均值为2.0×;10-3ppm-1,是50 nm ZnO的32倍。这些主要是由于纳米尺寸效应的影响。
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