作者：王祖军,刘静,薛院院,何宝平,姚志斌,盛江坤 单位：中国电子科技集团第四十四研究所 出版：《半导体光电》2017年第01期 页数：7页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFBDTG2017010010 DOC编号：DOCBDTG2017010019 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
《抗辐射低噪声CMOS图像传感器设计技术研究》PDF+DOC2020年第02期 郭仲杰,吴龙胜 《CMOS图像传感器单粒子效应及加固技术研究进展》PDF+DOC2020年第01期 蔡毓龙,李豫东,文林,郭旗 《基于4晶体管像素结构的互补金属氧化物半导体图像传感器总剂量辐射效应研究》PDF+DOC 王帆,李豫东,郭旗,汪波,张兴尧,文林,何承发 《像增强型图像传感器在总剂量辐照下的光响应度》PDF+DOC2014年第12期 闫劲云,江洁,张广军 《CMOS图像传感器抗电离辐射加固技术研究》PDF+DOC2020年第03期 吕玉冰,吴琼瑶,刘昌举,李明,周亚军,刘戈扬 《高光谱成像用高速CMOS图像传感器设计》PDF+DOC2020年第04期 冯国旭,刘昌举,刘戈扬,李明,徐江涛 《一种用于CMOS图像传感器的新结构光电器件》PDF+DOC2007年第04期 李晓磊,曾云,张燕,王太宏 《CMOS有源图像传感器的最新研究进展》PDF+DOC2005年第01期 李杰,刘金国,王英霞,郝志航 《CMOS图像传感器内置电源模块的研究与设计》PDF+DOC2011年第05期 张学识,魏廷存,郑然 《CMOS图像传感器中低FPN列读出电路的设计》PDF+DOC2006年第03期 林晓志,张生才,姚素英,徐江涛

    • CMOS图像传感器(CIS)在空间辐射或核辐射环境中应用时，均会受到总剂量辐照损伤的影响，严重时甚至导致器件功能失效。文章从微米、超深亚微米到纳米尺度的不同CIS生产工艺、从3TPD(Photodiode)到4TPPD(Pinned Photodiode)的不同CIS像元结构、从局部氧化物隔离技术(LOCOS)到浅槽隔离(STI)的不同CIS隔离氧化层等方面，综述了CIS总剂量辐照效应研究进展。从CIS器件工艺结构、工作模式和读出电路加固设计等方面简要介绍了CIS抗辐射加固技术研究进展。分析总结了目前CIS总剂量辐照效应及加固技术研究中亟待解决的关键技术问题，为今后深入开展相关研究提供理论指导。

    📙 相关资料

    1. 《抗辐射低噪声CMOS图像传感器设计技术研究》PDF+DOC 为满足航天应用对大面阵高动态CMOS图像传感器的需求，对噪声优化与辐射加固等关键技术进行了深入研究。基于系统架构的增益级与双相关双采样设计优化、基于采样电路的时序改进，实现了对系统噪声的多层次优化；基于像素级与电路级的总剂量辐射加固与单粒子闩锁辐射加固设计，实现了对100k rad(Si)总剂量和9......
    2. 《CMOS图像传感器单粒子效应及加固技术研究进展》PDF+DOC 互补金属氧化物半导体(Complementary Metal Oxide Semiconductor，CMOS)图像传感器(CMOS Image Sensor，CIS)在空间应用时会受到单个粒子辐照影响，这通常会导致CIS采集图像出现异常，严重时会导致器件功能失效。本文从不同粒子的角度：重离子、质子......
    3. 《基于4晶体管像素结构的互补金属氧化物半导体图像传感器总剂量辐射效应研究》PDF+DOC 对基于4晶体管像素结构互补金属氧化物半导体图像传感器的电离总剂量效应进行了研究，着重分析了器件的满阱容量和暗电流随总剂量退化的物理机理.实验的总剂量为200 krad(Si)，测试点分别为30 krad(Si)，100 krad(Si)，150 krad(Si)和200 krad(Si)，剂量率为5......
    4. 《像增强型图像传感器在总剂量辐照下的光响应度》PDF+DOC 采用60 Co-γ射线对像增强型图像传感器进行了总剂量辐照实验，以便评估该器件在空间总剂量辐照下的微光探测性能。当总剂量达到预定剂量点时，采用离线测试的方法定量测试了器件的光响应度变化情况。实验结果表明，随着辐照总剂量的增加，器件的光响应度迅速下降；当总剂量达60krad(Si)时，相对光响应度降低......
    5. 《CMOS图像传感器抗电离辐射加固技术研究》PDF+DOC 太空环境中的电离辐射会导致CMOS图像传感器性能退化，甚至造成永久性损毁。文章对CMOS图像传感器抗电离辐射加固技术进行了研究，从版图设计、电路设计等方面提出相应的抗辐射策略，并进行了总剂量和单粒子试验。试验结果表明，采用抗辐射加固技术设计制作的CMOS图像传感器具备抗总剂量和单粒子辐射能力，当总剂......
    6. 《高光谱成像用高速CMOS图像传感器设计》PDF+DOC 针对高帧频、全局曝光、通道数可选等成像应用需求，提出了一种高光谱成像用CMOS图像传感器，重点分析了8T像素结构和读出电路的设计方案与电路原理，完成了芯片的整体仿真和流片验证。结果表明：设计符合预期，成像效果良好，像素具备较高的满阱和全局快门功能，读出电路实现了输出通道数可选功能，同时保证了模拟信号......
    7. 《一种用于CMOS图像传感器的新结构光电器件》PDF+DOC 提出了一种用于CMOS图像传感器的新结构光电探测器件——双极光栅场效应晶体管。通过在器件中引入pn结，有效地增加了光生电荷的读出速率，因而与传统光栅晶体管相比，双极光栅晶体管具有工作速度快、响应灵敏度高、读出电路简单等优点。...
    8. 《CMOS有源图像传感器的最新研究进展》PDF+DOC 由于CMOS有源图像传感器在单片集成、系统功耗、价格以及微型化方面都大大优于CCD，近年来得到较快进展，特别是其抗辐射的性能，使其在空间应用方面尤其具有优势。介绍了CMOS有源图像传感器的原理、性能和研究进展，重点介绍了在空间领域，特别是星敏感器中的研究进展和应用现状。...
    9. 《CMOS图像传感器内置电源模块的研究与设计》PDF+DOC 电源模块是CMOS图像传感器芯片的一个重要组成部分，其性能直接影响着芯片的功耗以及所拍摄画面的质量.文中从CMOS图像传感器的像素结构和列读出电路原理出发，提出了一种低功耗、可编程控制的电源模块设计思想，并采用0.18μm CMOS工艺完成了电路设计.Hspice仿真结果表明，电源模块在启动70 m......
    10. 《CMOS图像传感器中低FPN列读出电路的设计》PDF+DOC 针对CMOS有源像素传感器，提出一种降低固定模式噪声(FPN)的列读出电路。通过对普通列读出电路进行改进，在双采样电路基础上，增加了失调电压补偿过程。数学分析和电路模拟结果表明双采样技术可以消除像素内产生的固定模式噪声，采用失调电压补偿技术可以将运算放大器带来的列FPN从毫伏级降为微伏级。该电路已应......

    提示：百度云已更名为百度网盘（百度盘），天翼云盘、微盘下载地址……暂未提供。