《精确测量非易失性存储器件NVM的超低电流波形》PDF+DOC
作者:谢凯翔
单位:中国半导体行业协会
出版:《中国集成电路》2017年第11期
页数:5页 (PDF与DOC格式可能不同)
PDF编号:PDFJCDI2017110140
DOC编号:DOCJCDI2017110149
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1概述近来年,鉴于对智能手机等移动终端技术的需求不断增长,导致非易失性存储器(NVM)的需求也非常旺盛,而物联网则继续扩大着NVM的应用领域。闪存是当前存储设备的主流,同时业界正在对ReRAM、PRAM等新一代NVM展开广泛研究,以期通过改善速度、性能、功耗、可靠性和成本等因素,扩大低功率存储器、存储器级内存的应用,以及替代传统的易失性存储器。
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