作者:金慧娇,李彦,曾艳,花中秋,田汉民 单位:中国电子科技集团公司第十三研究所 出版:《微纳电子技术》2017年第02期 页数:6页  (PDF与DOC格式可能不同) PDF编号:PDFBDTQ2017020060 DOC编号:DOCBDTQ2017020069 下载格式:PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
《掺杂SnO_2氨气敏感材料研究》PDF+DOC1998年第01期 王毓德,苏群,吴兴惠 《直流反应磁控溅射WO_3薄膜气敏特性研究》PDF+DOC2007年第04期 尹英哲,胡明,冯有才,陈鹏 《关于石墨烯与金属氧化物复合材料应用于气敏材料的研究》PDF+DOC2016年第10期 冯秋霞,王兢,李晓干 《掺杂对SnO_2薄膜性能影响研究》PDF+DOC2001年第02期 马黎君,魏京花 《声表面波SO_2气体传感器敏感膜的研究》PDF+DOC2000年第09期 魏培永,朱长纯,刘君华 《SnO_2∶Zr薄膜对SO_2气体的光学气敏特性研究》PDF+DOC2000年第03期 汤兆胜,赵强,冯仕猛,范正修 《催化与气敏传感器》PDF+DOC1988年第05期 雷远进,陶月梅,蒋竹凤 《室温H_2S敏感器件》PDF+DOC1988年第01期 柳连俊,张维新 《铁氧化物薄膜气敏材料的制备及性能研究评述》PDF+DOC2002年第03期 金鑫,姜继森 《Zn~(2+)掺杂WO_3基气敏材料的制备及气敏性能研究》PDF+DOC2008年第10期 桂阳海,徐甲强,李超,孙雨安
  • 光激发改变半导体载流子的浓度是气敏传感器研究的一个重要方向。目前研究主要采用的光谱为紫外光,最为常见的可见光却没有得到应用。通过溶胶-凝胶法制备出WO3纳米粉末与CH_3NH_3PbI_3钙钛矿前驱液,并利用二者制备得到对可见光敏感的气敏传感器,得出其在还原性气体NH3中的气敏特性。通过扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射仪(XRD)以及紫外光可见光光分度计对WO_3纳米粉末和CH_3NH_3PbI_3钙钛矿进行表征,利用自制的动态配气装置对器件的气敏特性进行测试,得出该新型气敏传感器在NH_3中的灵敏度相比纯的WO_3气敏传感器的灵敏度有所提高,并且这种传感器还具有较好的光敏特性,表明其具有潜在应用前景。

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