作者：李文豪,郑雁公 单位：中国电子科技集团公司第四十九研究所 出版：《传感器与微系统》2017年第04期 页数：5页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFCGQJ2017040160 DOC编号：DOCCGQJ2017040169 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
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    • 为了研究并提升氧化钯(PdO)敏感电极的气敏性能，采用Ni，La和Mg元素对PdO进行掺杂。通过掺杂前后PdO的表征实验对比，发现掺杂作用不仅改变晶格参数，同时也影响晶体中的缺陷。在对丙烯气敏测试中，Ni和La掺杂的PdO敏感电极提高了传感器气敏灵敏度。对于掺杂提高气敏响应的机理，我们根据不同元素掺杂对PdO气敏反应的不同作用，讨论了氧化物缺陷对PdO催化活性的影响。晶体中的氧缺陷可以提高氧化物的催化活性，使传感器具有较高的灵敏度。具有掺杂PdO敏感电极对氧气和多种气体的选择性测试，表现出对丙烯气体具有较高的选择性。

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