作者：王景楠,聂劲松 单位：中国航天科工集团公司第三研究院第八三五八研究所 出版：《红外与激光工程》2017年第01期 页数：6页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFHWYJ2017010190 DOC编号：DOCHWYJ2017010199 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
《632.8nm连续激光辐照可见光CMOS相机实验研究》PDF+DOC2015年第03期 盛良,张震,张检民,徐作冬 《超连续谱光源对CMOS图像传感器的干扰实验研究》PDF+DOC2014年第04期 朱辰,李尧,王雄飞,张昆,熊文龙,张浩彬,张大勇,张利明 《632nm激光对CCD和CMOS的干扰实验及机理分析》PDF+DOC2016年第09期 高润,牛春晖,李晓英 《连续激光辐照CMOS相机的像素翻转效应及机理》PDF+DOC2016年第06期 盛良,张震,张检民,左浩毅 《近红外激光对图像传感探测器的干扰研究》PDF+DOC2020年第04期 张亚男,牛春晖,赵爽,吕勇 《1.06μm激光对CCD、CMOS相机饱和干扰效果对比研究》PDF+DOC2014年第01期 邵铭,张乐,张雷雷,柴国庆,胡琥香 《高灵敏度线性图像传感器》PDF+DOC1994年第01期 罗涛 《发光二极管的亮度提高和材料改进》PDF+DOC1986年第02期 王祖明 《一种基于CMOS图像传感器的flicker自动检测方法》PDF+DOC2007年第02期 贡青,李锦萍,闵子建,杜力力 《一种用于隧道变形监测系统的自动标定方法》PDF+DOC2012年第12期 周奇才,马云杰,熊肖磊

    • 研究了超连续谱光源对可见光CMOS图像传感器辐照的实验现象和规律。观察到随着入射激光功率的不断增大，CMOS图像传感器依次出现了像元饱和、局部饱和、局部过饱和以及全屏饱和等现象。与1 060 nm锁模光纤激光辐照同种图像传感器的实验相对比，从有效干扰面积、图像相关度及图像均方差等三个方面，对比了两种干扰源在影响CMOS图像传感器成像质量方面的异同，发现CMOS图像传感器的响应特性、激光的频谱特性和成像光学系统的色散是导致干扰效果差异的主要原因。

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