作者：刘园园,谭晓兰 单位：中国电子科技集团公司第二十六研究所 出版：《压电与声光》2017年第06期 页数：5页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFYDSG2017060370 DOC编号：DOCYDSG2017060379 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
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    • 选用敏感材料锆钛酸铅(PZT)，优化微机电系统(MEMS)微加工工艺，制作了硅基PZT压电薄膜叉指式电极结构的MEMS压力传感器。在基体Au/Ti/LNO/SiO_2/Si&lt；100&gt；上，采用溶胶-凝胶(Sol-Gel)法，在650℃高温下采用分层退火的方式进行退火，得到厚1.2μm的PZT压电薄膜。薄膜表面均匀，无裂纹。利用光刻工艺和低压溅射工艺得到平行叉指电极。制作完成PZT压电薄膜结构的微压力传感器，在弹性薄膜上施加压力，其电压输出性能较好，说明基于压电薄膜的叉指电极结构可行，为基于纳米纤维结构的微压力传感器的制作奠定了理论基础。

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