作者：黄洛俊,康恒,程嵩,李勇滔,夏洋,景玉鹏 单位：中国电子科技集团公司第十三研究所 出版：《微纳电子技术》2017年第04期 页数：7页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFBDTQ2017040090 DOC编号：DOCBDTQ2017040099 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑

    • 针对传统去离子水和高纯氮气组合的两相流清洗方法对CMOS图像传感器上颗粒污染物清洗良率不足的问题，采用了一种喷嘴式超临界二氧化碳(SSCO_2)清洗的方法来清洗CMOS图像传感器。相比传统的水气两相流清洗方法，本方法利用了SSCO_2的表面张力小、溶解度高和扩散能力强等优点。实验结果显示，喷嘴式超SSCO_2清洗方法对CMOS图像传感器的像素点表面以及像素点之间直径大于300 nm的颗粒污染物可以进行有效清除，相对于传统的两相流清洗方法其清洗效果有明显的提高。该实验表明这种清洗方式在CMOS图像传感器清洗方面具有良好的应用前景。

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