作者：赵明富,汪颖,罗彬彬,曹李华 单位：中国电子科技集团第四十四研究所 出版：《半导体光电》2013年第01期 页数：5页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFBDTG2013010070 DOC编号：DOCBDTG2013010079 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
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    • 基于光波导理论和传输矩阵法，研究光纤包层被完全腐蚀后的高斯变迹光纤布拉格光栅(FBG)在非均匀外部介质环境下的反射谱特性。仿真过程中，分别考虑高折射率区(1.43～1.45)和低折射率区(1.33～1.36)两种情况，同时假设该非均匀外部介质折射率(SRI)呈不同的线性函数分布。仿真结果表明，高斯变迹FBG的谱带宽、谱强度特性与SRI沿光栅轴向的线性分布梯度密切相关。随着SRI梯度增加，反射谱的3dB带宽也逐渐增加，此时高、低折射率区的梯度灵敏度分别为3.775&#215；103 nm.mm/riu和3.72&#215；103 nm.mm/riu。研究结果对高斯变迹FBG用于生化传感领域的非均匀介质测量具有一定意义。

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