作者：李天琦,马超龙,杨晓亮,杜斌 单位：西安电子科技大学 出版：《电子科技》2013年第10期 页数：4页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFDZKK2013100520 DOC编号：DOCDZKK2013100529 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
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    • 研究了一种具有垂直多结结构的CMOS图像传感器四管像素结构，通过引入垂直多结结构可扩展感光区的势阱容量，增大耗尽区，提高信号电荷收集效率，特别对于长波长光波的吸收大幅增加。并为减小垂直多结结构的图像拖影现象，在N区水平方向上进行梯度掺杂，消除了电位障，使得信号电荷更易向外传输，从而减小图像拖影现象，并通过SILVACO TCAD软件对该结构进行数值仿真。

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