《专利技术》PDF+DOC
作者:
单位:光明化工研究设计院
出版:《低温与特气》2013年第05期
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PDF编号:PDFDWTQ2013050170
DOC编号:DOCDWTQ2013050179
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一种氮氧化物气体传感器元件的制备方法申请(专利)号:201210400849.9公开(公告)日:2013-03-27申请(专利权)人:天津大学摘要:本发明公开了一种氮氧化物气体传感器元件的制备方法,步骤为:(1)对n型单面抛光的单晶硅片进行清洗;(2)采用双槽电化学腐蚀法在硅片的抛光表面制备孔径尺寸在50~200 nm的硅基孔洞有序多孔硅,腐蚀液为6%~8%的氢氟酸水溶液,施加的腐蚀电流密度为115~135mA/cm2,腐蚀时间为5~25 min;(3)再将多孔硅置于超高真空对靶磁控溅射设备的真空室,制备基
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