《分子印迹铜离子伏安传感器的研制与应用》PDF+DOC
作者:徐丽娟,李锦书,卢小泉,王志华
单位:四川省化学化工学会;四川大学
出版:《化学研究与应用》2013年第10期
页数:6页 (PDF与DOC格式可能不同)
PDF编号:PDFHXYJ2013100020
DOC编号:DOCHXYJ2013100029
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利用分子印迹技术,以铜离子为模板,邻苯二胺为功能单体,在碳纳米管修饰的玻碳电极表面原位聚合,制备了铜离子印迹电化学传感器。采用差示脉冲伏安法对铜离子在该印迹电极上的电化学行为进行了研究。铜离子在2.0×;10-3~1.0×;10-10mol·;L-1浓度区间内与峰电流呈线性关系,其线性回归方程为Ip=1.660lgC-1.999(I:μA,C:μmol·;L-1),相关系数为0.9920,检出限(S/N=3)达1.8×;10-11mol·;L-1,该法可用于自来水样中铜离子的检测。
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