作者：尚慧琳,文永蓬 单位：中国振动工程学会;上海交通大学;上海市振动工程学会 出版：《振动与冲击》2013年第15期 页数：6页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFZDCJ2013150040 DOC编号：DOCZDCJ2013150049 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
《时滞位置反馈对一类静电微传感器的吸合不稳定的控制研究》PDF+DOC2016年第04期 尚慧琳,宋书峰,文永蓬 《微机电系统(MEMS)的应用》PDF+DOC1999年第01期 徐毓龙,徐玉成 《单片集成MEMS技术》PDF+DOC2005年第03期 江建明,娄利飞,汪家友,杨银堂 《基于多孔硅牺牲层技术的压阻式加速度传感器的分析和设计(英文)》PDF+DOC2003年第07期 周俊,王晓红,姚朋军,董良,刘理天 《阵列式MEMS仿生矢量振动传感器研究》PDF+DOC2012年第09期 刘林仙,张国军,许姣,张慧,李振,张文栋 《参数激励下静电驱动MEMS共振传感器的非线性动力特性研究》PDF+DOC2009年第01期 张文明,孟光,周健斌,陈杰宇 《静电吸合对力平衡式隧道加速度传感器的影响》PDF+DOC2008年第04期 贺学锋,温志渝,温中泉,王晓兰 《一种微机械加速度计的自检测特性研究》PDF+DOC2008年第03期 陈伟平,韩天,赵振刚,刘晓为,孙立宁,曹伽牧 《杂质磷对单晶硅微结构疲劳特性的影响——基于Paris公式的分析》PDF+DOC2014年第24期 刘彬,陶俊勇,张云安,陈循,王晓晶 《微机电系统的研究与应用》PDF+DOC2014年第01期 肖顺

    • 以一类静电驱动微结构谐振传感器为研究对象，基于安全域思想研究了系统直流偏置电压和交流激励电压幅值引起的结构吸合不稳定现象。运用Melnikov函数法得到引起微结构吸合不稳定的系统参数门槛值，且运用四阶Rung-Kutta方法和点映射方法数值地验证了交流电压幅值对系统的吸合区域的影响规律。结果表明，直流偏置电压的增大均易引起微结构的吸合效应，而交流电压幅值的增大则会导致微结构的吸合不稳定。通过实施时滞位移反馈控制来抑制系统的吸合不稳定，数值结果验证了该控制方法的有效性。所得结果在静电驱动微机电系统的设计领域有潜在的应用价值。

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