作者：贾丁立,胡明,李明达,刘青林 单位：中国电子科技集团公司第四十九研究所 出版：《传感器与微系统》2013年第08期 页数：3页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFCGQJ2013080070 DOC编号：DOCCGQJ2013080079 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
《氧化钨纳米线气敏传感器的制备及其室温NO_2敏感特性》PDF+DOC 赵博硕,强晓永,秦岳,胡明 《基于气体绝缘层的FET式室温NO_2传感器》PDF+DOC2017年第03期 塔力哈尔·夏依木拉提,吐尔迪·吾买尔,尚志勇,冯艳,谢宁,彭敏 《Au/ZnO多孔纳米片及其紫外光照射下的NO_2气敏性能》PDF+DOC2020年第01期 林琳,罗媛媛 《基于有机半导体TIPS-Pentacene晶态薄膜的超灵敏NO_2气体传感器》PDF+DOC2019年第02期 刘忠范 《基于新型形貌的纳米结构氧化锌高性能室温气体传感器（英文）》PDF+DOC2019年第01期 Naila ZUBAIR,Khalida AKHTAR 《氧化钨纳米线修饰多孔硅结构的制备及NO_2气敏性能研究》PDF+DOC2019年第02期 胡明,秦岳,赵博硕,强晓永,周立伟 《NO_2气体传感器敏感材料》PDF+DOC2001年第04期 余道建,沈瑞琪 《由白钨酸制备WO_3纳米颗粒薄膜NO_2传感器》PDF+DOC2005年第01期 夏晓东,刘艳丽,蒋健晖,沈国励,俞汝勤 《α-六噻吩OTFT器件痕量NO_2气体传感器的制备及特性研究》PDF+DOC2012年第22期 李娴,蒋亚东,谢光忠,太惠玲 《氧化铟纳米线的水热-退火合成及其NO_2气敏性能研究》PDF+DOC2008年第01期 程知萱,许鹏程,潘庆谊,徐甲强,向群,董晓雯

    • 采用快速热处理的方法，提高了室温下WO3薄膜气体传感器对NO2的敏感特性。首先采用直流对靶磁控溅射的方法在Al2O3陶瓷基底上沉积纳米WO3薄膜，然后在N2∶O2=4∶1的混合气氛中，分别在500，600℃和700℃的热处理温度下对纳米WO3薄膜进行快速热处理。所得样品表面形貌用扫描电子显微镜(SEM)进行观察，晶体结构用X射线衍射仪(XRD)进行表征，在室温下检测经过不同热处理温度的样品在LED光照下的WO3薄膜气体传感器的NO2敏感性能。结果表明：经过600℃快速热处理的样品的气敏性能最好，其具有较大的比表面积，灵敏度最高，在室温下可以达到100，且具有较好的响应恢复特性，测试环境的辅助激励光源LED易与IC集成，具有降低能耗、简便实用的特点。

    📙 相关资料

    1. 《氧化钨纳米线气敏传感器的制备及其室温NO_2敏感特性》PDF+DOC 纳米结构的氧化钨有高比表面积和气体吸附能力，在气体传感器领域得到了广泛研究.本文采用磁控溅射金属钨薄膜和两步热氧化工艺在二氧化硅衬底上生长出氧化钨纳米线.通过改变第二步氧化温度，研究退火温度对氧化钨纳米线气敏特性的影响.采用扫描电子显微镜、X射线衍射仪、X射线光电子能谱分析仪和透射射电子显微镜表征材......
    2. 《基于气体绝缘层的FET式室温NO_2传感器》PDF+DOC 采用电子束刻蚀、机械探针贴膜等方法，构筑了基于气体绝缘层结构的单根酞菁铜纳米线FET式NO_2气体传感器。结果发现，在室温条件下，器件的检测极限为1&#215；10~(–6)(NO_2体积分数)，其灵敏度高达2 172%，该结果相比于薄膜气体传感器检测极限降至十分之一。除此之外，该器件在室温......
    3. 《Au/ZnO多孔纳米片及其紫外光照射下的NO_2气敏性能》PDF+DOC 采用水热法结合后期热处理技术制备了Au/ZnO多孔纳米片，并对其气敏性能进行了详细研究。Au/ZnO样品是由厚度约一二十纳米的多孔纳米片组成；气敏性能测试发现，在紫外光照射下Au/ZnO多孔纳米片结构对NO_2气体具有室温响应，检测限为100ppb。Au/ZnO传感器对100ppb NO_2气体的响......
    4. 《基于有机半导体TIPS-Pentacene晶态薄膜的超灵敏NO_2气体传感器》PDF+DOC 以有机半导体为活性层的气体传感器由于其可室温工作、良好的选择性、工艺简单和柔性等特点而具有极大的应用潜力~(1–4)。然而和传统无机半导体传感器相比，有机半导体气体传感器的响应性能却远远不及，如灵敏度具有量级的差距，响应...
    5. 《基于新型形貌的纳米结构氧化锌高性能室温气体传感器（英文）》PDF+DOC 通过简单快速且无添加剂的氨水可控沉淀法在水溶液中制备具有新型形貌和均匀纳米结构的氧化锌粉末。用SEM、XRD、FTIR、TG/DTA等检测手段表征所制备的固体粉末。FTIR分析结果显示：纳米结构形貌对所制备材料的红外光谱影响较小。将原始态(ZnO-AP)、烧结态(ZnO-Cal)和商业(ZnO-Co......
    6. 《氧化钨纳米线修饰多孔硅结构的制备及NO_2气敏性能研究》PDF+DOC 针对多孔硅气敏传感器在室温下对NO_2气体灵敏度较低、选择性不强的问题，采用双槽电化学腐蚀法制备多孔硅，然后在多孔硅顶部溅射沉积金属钨薄膜并经高温热处理氧化形成WO_3纳米线，制备出WO_3纳米线修饰多孔硅结构及其气敏传感器。对WO_3纳米线/多孔硅材料进行了SEM和XRD分析，测试了传感器室温下对......
    7. 《NO_2气体传感器敏感材料》PDF+DOC 描述了近十年来用作NO2 气体传感器的酞菁类和氧化物半导体敏感材料。总结了这两类材料的成膜条件、薄膜表面形态和结构以及它们的敏感特性。为优化薄膜的气敏特性提供了参考...
    8. 《由白钨酸制备WO_3纳米颗粒薄膜NO_2传感器》PDF+DOC 研制了不同SiO2 掺杂量 (0 %～ 10 % ，wt% )的WO3 纳米颗粒薄膜NO2 传感器。先由钨酸钠制得白钨酸...
    9. 《α-六噻吩OTFT器件痕量NO_2气体传感器的制备及特性研究》PDF+DOC 以α-六噻吩(α-sexithiophene，α-6T)为有源层，二氧化硅(SiO2)为绝缘层，钛/金(Ti/Au)为电极，分别制备了沟道宽长比为40、160和640的有机薄膜晶体管(Organic thin-film transistors，OTFT)器件。讨论了OTFT器件的宽长比对二氧化氮气敏......
    10. 《氧化铟纳米线的水热-退火合成及其NO_2气敏性能研究》PDF+DOC 以InCl3.4H2O、草酸和氢氧化钠为原料，采用水热-退火路径，合成出了In2O3纳米线。X射线粉末衍射(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)表征结果表明：合成产物为立方相的In2O3纳米线，其直径约为30-50nm，长径比超过40。气敏性能测试结果表明，以该法合成的In2O3纳米线对NO2灵敏度高......

    提示：百度云已更名为百度网盘（百度盘），天翼云盘、微盘下载地址……暂未提供。