作者：于佳琪,何常德,张永平,苗静,李玉平,薛晨阳,张文栋 单位：中国电子科技集团公司第二十六研究所 出版：《压电与声光》2013年第05期 页数：5页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFYDSG2013050220 DOC编号：DOCYDSG2013050229 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑

    • 在传统的电容式超声传感器(CMUT)制造过程中，用低压化学气相淀积技术形成的氮化硅薄膜残余应力大且机械性能难以预知。为此，设计了一种基于阳极键合技术的CMUT，传感器薄膜和空腔分别定义在均匀性好、残余应力低的SOI片和玻璃片上。建立了一个简化的分析模型对该结构进行机械性能分析，采用有限元分析软件ANSYS仿真验证该所建立的分析模型并预估传感器的性能。利用ANSYS静电-结构耦合仿真给出了塌陷电压。介绍了敏感单元的工艺流程。所设计的传感器频率为1.48 MHz，灵敏度为0.24fF/Pa，塌陷电压为70V，量程为48kPa。

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