作者：权利,王颖,龙维刚,罗木昌,周勋 单位：中国电子科技集团第四十四研究所 出版：《半导体光电》2013年第04期 页数：5页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFBDTG2013040020 DOC编号：DOCBDTG2013040029 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
《剥离技术在GaN基紫外图像传感器中的应用》PDF+DOC2005年第02期 叶嗣荣,肖灿,黄烈云,向勇军 《紫外增强硅基成像探测器进展》PDF+DOC2019年第01期 张猛蛟,蔡毅,江峰,钟海政,王岭雪 《基于Zn_2SiO_4:Mn的紫外探测薄膜的研制》PDF+DOC2009年第05期 黄然,李筠,刘猛,李晓兰 《基于GaN基HEMT结构的传感器件研究进展》PDF+DOC2016年第12期 朱彦旭,王岳华,宋会会,李赉龙,石栋 《适用于昼夜视觉的微光CIS》PDF+DOC2016年第03期 潘京生,郭一亮,顾燕,李燕红,孙建宁,张勤东,苏德坦 《氮化镓材料在传感器中的应用》PDF+DOC2017年第05期 刘义鹤,江洪 《传感器》PDF+DOC1999年第09期 《线阵CCD图象传感器的焦平面光学拼接》PDF+DOC1991年第02期 沈忙作,陈旭南,王晋,马文礼 《光锥与CCD耦合效率的理论分析》PDF+DOC2004年第03期 王耀祥,田维坚,黄琨,张薇,汪丽 《增强光电图像传感器紫外探测薄膜的制备》PDF+DOC2009年第09期 刘猛,张大伟,谢品,倪争技,黄元申

    • 介绍了两类主要的紫外图像传感器技术的最新研究进展，根据其特点对它们在特定紫外成像应用需求中的优势和不足进行了简要分析，最后对这些紫外图像传感器技术的未来发展进行了展望。

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