作者：孟秋敏,欧阳峥嵘,石磊,李洪强 单位：中国电子科技集团公司第十六研究所 出版：《低温与超导》2013年第09期 页数：3页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFDWYC2013090040 DOC编号：DOCDWYC2013090049 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑

    • 以锗温度传感器GR-1400-AA为研究对象，研究了其在0～16 T磁场下、2～100K温区内的磁致电阻效应。结果表明：在2～20K温区，GR-1400-AA磁效应随温度的升高急剧降低，且场强越高磁效应的变化率越大；在20～100K温区，磁效应随温度的升高趋于平缓；GR-1400-AA磁效应随场强的升高而升高，且温度越低，磁效应的变化率越高，2.1K、16T处的磁效应为2120.3%；GR-1400-AA由磁阻引起的测量温差随温度的升高而升高，随场强的增大而增大，且全为负温差，在6K、2T处和16T、100K处的测量温差分别为-0.24K、-60.4K。不推荐应用在磁场环境下。

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