作者：唐洁媛,陈哲,罗云瀚,余健辉,张军 单位：中国光学学会;中国科学院西安光学精密机械研究所 出版：《光子学报》2013年第10期 页数：6页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFGZXB2013100110 DOC编号：DOCGZXB2013100119 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
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    • 采用轮式侧边抛磨技术对单模多模单模光纤结构的多模光纤部分进行侧边抛磨处理，研究了不同抛磨深度情况下该光纤结构对环境折射率的传感特性.结果显示，单模多模单模光纤结构的光谱特性曲线中存在多个损耗峰，这是由多模光纤中多种高阶模式相互干涉形成的.当单模多模单模光纤结构被侧边抛磨到接近纤芯时，光谱没有发生较大变化，只是各损耗峰波长发生了不同程度的漂移；但是，当抛磨掉部分纤芯时，单模多模单模光纤结构的光谱曲线发生较大变化，抛磨后单模多模单模光纤结构对外环境折射率变化敏感.当抛磨区深度为10μm，长度为20mm时，折射率传感器的最高灵敏度只有703.2nm/RIU；当抛磨区深度为15μm时，最高灵敏度为798nm/RIU；当抛磨区深度为20μm时，最高灵敏度高可达1 190nm/RIU.研究表明，通过侧边抛磨单模多模单模光纤结构可实现一种新型的光纤折射率传感器，且可通过增加抛磨深度来提高该传感器对折射率的传感灵敏度。

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