作者：刘昌举,吴治军,祝晓笑,熊平,吕玉冰 单位：中国电子科技集团第四十四研究所 出版：《半导体光电》2013年第03期 页数：4页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFBDTG2013030050 DOC编号：DOCBDTG2013030059 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
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    • 基于0.35μm工艺，设计了应用于低光照环境下的低噪声、高灵敏度CMOS图像传感器。该图像传感器采用PPD 4T像素结构，像素阵列512&#215；512，包含列级运放、水平移位寄存器、逻辑控制单元、单斜率模数转换器和偏置电路等模块。通过采用低噪声PPD 4T像素结构、低噪声列级放大器电路结构，以及对版图的优化设计等措施实现了低噪声、高灵敏度的CMOS图像传感器设计。

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