《强磁场下氧化钌温度传感器的磁致电阻效应研究》PDF+DOC
作者:孟秋敏
单位:中国电子科技集团公司第十六研究所
出版:《低温与超导》2013年第11期
页数:3页 (PDF与DOC格式可能不同)
PDF编号:PDFDWYC2013110090
DOC编号:DOCDWYC2013110099
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以氧化钌温度传感器(RX-202A)为研究对象,研究了其在0~16 T磁场下、2~40 K温区内的磁致电阻效应。结果表明:RX-202A的磁效应随场强的升高而升高,随温度呈波动变化,在低温区先由正效应转变为负效应,后又随温度的升高而逐渐降低,并逐渐趋于0,RX-202A在2.1 K、16T处的磁效应为0.83;RX-202A由磁效应引起的测量误差随温度呈波动变化,在2.2~10K温区随场强的变化差别较小,在10~38K温区随场强的增大而增大,RX-202A在2.2K、16T处,38K、16T处产生的温度测量误差分别为-0.099K和0.364K。
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