作者: 单位:北京信息科技大学 出版:《传感器世界》2013年第05期 页数:1页  (PDF与DOC格式可能不同) PDF编号:PDFCGSJ2013050280 DOC编号:DOCCGSJ2013050289 下载格式:PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
  • 申请号:201110434046.0【公开号】CN102539063A【公开日】2012.07.04【分类号】G01L19/06(2006.01)I;G01L1/18(2006.01)I【申请日】2011.12.16【申请人】西安交通大学【发明人】赵玉龙;牛喆;田边;王伟忠【摘要】一种SOI矩形膜结构高压传感器芯片,包括高压传感器芯片,高压传感器芯片底面的中心区域腐蚀形成

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