《基于MEMS技术新型湿度传感器的研制》PDF+DOC
作者:吴大军,唐祺,杨姗姗,温殿忠
单位:中国电子科技集团公司第十三研究所
出版:《微纳电子技术》2013年第09期
页数:6页 (PDF与DOC格式可能不同)
PDF编号:PDFBDTQ2013090060
DOC编号:DOCBDTQ2013090069
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《一种新型CMOS兼容湿度传感器》PDF+DOC2004年第02期 顾磊,黄庆安,秦明,张中平,严先蔚
《MEMS电容式湿度传感器后处理工艺研究》PDF+DOC2011年第09期 张广庆,赵成龙,秦明
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《一种仿侧线神经丘的MEMS矢量水听器设计》PDF+DOC2019年第07期 张小勇,沈倪鑫,尚珍珍,纪松祥,张国军
《电容型湿度传感器模型计算与分析》PDF+DOC2010年第11期 单晓锋,杨建红
《多壁碳纳米管湿度传感器频率特性(英文)》PDF+DOC2010年第04期 刘晓为,赵振刚,王鑫,周新来
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《基于MEMS器件的姿态航向参考系统设计及应用》PDF+DOC2007年第03期 张谦,裴海龙,罗沛
《基于微波谐振腔的湿度传感器》PDF+DOC2006年第05期 姜宇,丁雪梅,杨国辉
描述了新型金属-Al2O3-PI-金属电容式湿度传感器的结构及工作原理,利采用Matlab软件模拟了介电常数和湿度的关系,采用MEMS技术制造了新型湿度传感器,设计了测试方案,测量和分析了该新型湿度传感器的灵敏度特性和迟滞特性,分析了测试数据产生偏差的原因。测试结果显示,湿度传感器的灵敏度为单位湿度变化8 pF,湿度低于RH80%,线性度非常好。湿度传感器的迟滞特性良好,在RH70%时,迟滞差最大约为RH3%。分析结果表明,该湿度传感器结构合理,工艺成功,重点解决了该传感器的涂覆聚酰亚胺后蒸铝工艺与CMOS标准工艺兼容问题。为利用CMOS标准工艺进行集成MEMS湿度传感器的研制做出了有益的尝试,传感器的线性度和迟滞特性指标符合要求,该新型湿度传感器在现代MEMS技术中具有良好的应用前景。
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