作者：刘琼,马守宝,钱晓晨,阮俊,卢忠荣,陶春先 单位：中国光学学会;中国科学院西安光学精密机械研究所 出版：《光子学报》2017年第06期 页数：6页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFGZXB2017060320 DOC编号：DOCGZXB2017060329 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑

    • 采用真空热阻蒸方式在CMOS图像传感器感光面上镀制不同厚度性比价高的Lumogen薄膜.研究发现不同Lumogen薄膜厚度的CMOS传感器的暗电流噪声未发生明显变化，说明真空热蒸发方式对互补金属氧化物半导体器件本身未造成热损伤；光响应非均匀度随膜厚增加而增大；动态范围却随膜厚增加而减小；量子效率随膜厚增加呈现先增大后减小.同时，研究发现敏化膜层最佳厚度为389nm，此时CMOS传感器的量子效率提高了10%，且光响应非均匀度，动态范围均在相对较好的范围内。

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