《InP基/GaN基器件与电路在微波毫米波领域“大显身手”》PDF+DOC
作者:刘新宇,王鑫华,黄森,罗卫军,苏永波,姚鸿飞
单位:中国科技新闻学会
出版:《》
页数:4页 (PDF与DOC格式可能不同)
PDF编号:PDFKXZG2014190090
DOC编号:DOCKXZG2014190099
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《雷达》PDF+DOC1995年第02期
《光电成象技术及器件》PDF+DOC1995年第02期
《美国TRW公司率先研制出毫米波芯片雷达》PDF+DOC1991年第04期 李淑芳
《雷达五十年》PDF+DOC1986年第01期 王德纯
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《一种采用GaN紫外探测器的便携式紫外辐射计》PDF+DOC2005年第06期 林少鹏,汤昊昊,瑚琦,李孟超,庄松林
《SET的专利器件—MOSHFET》PDF+DOC 陈裕权
《复合制导反辐射导弹对抗措施浅析》PDF+DOC2013年第05期 蔡伟营
《雷声公司制造新一代氮化镓材料》PDF+DOC 李洪兴
你知道现代战争是依赖什么布下天罗地网,获取地方信息并实行精确打击的吗?知道天气预报是靠什么探测气象信息吗?知道为什么飞机可以在漆黑的夜空安全飞行吗?对,就是因为雷达——奇特神秘的超视距眼睛。它自投入军旅以来,便用无形的手左右着战局,如今,已经成了影响现代战争的关键因素之一。而化合物半导体集成电路的出现顺应了现代雷达(毫米波雷达)的发展需求,尤其是磷化铟(InP)基和氮化镓(GaN)基器件与电路,成为了
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