《基于SOI-MEMS工艺的谐振式压力传感器研究》PDF+DOC
作者:曹明威,陈德勇,王军波,焦海龙,张健
单位:中国微米纳米技术学会;东南大学
出版:《传感技术学报》2013年第06期
页数:5页 (PDF与DOC格式可能不同)
PDF编号:PDFCGJS2013060080
DOC编号:DOCCGJS2013060089
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提出了一种电磁激励、差分检测的谐振式MEMS压力传感器,该器件采用低电阻率的SOI器件层单晶硅制作“H”型谐振梁,并作为激励和检测电极。根据对传感器数学模型的分析,利用有限元分析方法优化了传感器结构设计。采用等离子深刻蚀制作传感器结构,并用湿法腐蚀SOI二氧化硅层的方法释放。利用硅-玻璃阳极键合技术,实现了传感器的圆片级真空封装。采用开环扫描检测和闭环自激振荡方式,测定压力传感器的特性。实验结果表明:传感器一致性良好,在500 hPa~1 100 hPa的检测范围内,差分检测灵敏度为14.96 Hz/hPa,线性相关系数为0.999 996。
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