作者：肖咸盛,卞玉民 单位：中国电子科技集团公司第十三研究所 出版：《微纳电子技术》2017年第04期 页数：8页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFBDTQ2017040070 DOC编号：DOCBDTQ2017040079 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
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    • 基于压阻效应，利用微电子机械系统(MEMS)技术，研制了一种可用于多领域的高g值加速度传感器。加速度传感器采用四端全固支八梁结构，利用力学计算、ANSYS仿真和工艺约束相结合的方法确定了结构参数。通过对压敏电阻的数量、结构和布放位置的分析与设计，进一步减小了加速度传感器的横向灵敏度。采用硅-硅键合与共晶键合相结合工艺制作了圆片级气密封装的加速度传感器芯片，并用塑封工艺实现了加速度传感器芯片的封装，易于批量生产和工业应用。最后，对加速度传感器的性能进行了测试，结果表明灵敏度为1.5~2μV/g，一阶固有频率大于200 kHz，在1.5&#215；10~5 g量程内正常并有效工作，抗过载大于2.5&#215；10~5 g。

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