作者：陈翔宇,陈克城,詹自力,李亚丰 单位：中国化工信息中心 出版：《化工新型材料》2017年第02期 页数：3页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFHGXC2017020680 DOC编号：DOCHGXC2017020689 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
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    • 以SnCl_4&#183；5H_2O和SbCl_3为前驱体，采用共沉淀法制备了Sb掺杂SnO_2纳米复合材料(ATO)，并用X射线和扫描电镜对粉末进行了表征。考察了Sb掺杂对SnO_2基热线型气体传感器的气敏性能影响，并分析了气敏机理。结果显示：6%Sb掺杂的ATO材料粒径减小至3.5nm，Sb的掺杂抑制了SnO_2材料晶粒的生长；Sb掺杂能有效提高SnO_2基热线型气体传感器响应值，6%Sb掺杂使SnO_2基传感器对0.1%H_2的最佳响应值从115mV提高到了435mV；工作电压为3.5V时，响应和恢复时间分别小于10和30s。机理分析表明：Sb掺杂降低了SnO_2气敏材料的电阻，从而提高了SnO_2基传感器的响应值。

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