作者：吴建飞,李建成,王宏义,亚历山大·博耶,沈荣骏 单位：国防科技大学 出版：《国防科技大学学报》2013年第05期 页数：6页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFGFKJ2013050290 DOC编号：DOCGFKJ2013050299 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑

    • 基于LDO稳压器在电磁干扰(EMI)下产生直流偏移失效的机理分析，展开敏感度建模与仿真方法研究。使用一款实验芯片，创新地引入片上电压传感器，用于测试EMI在LDO稳压器内部的传播特性。在敏感度建模中，建立等效电路模型，通过直流功能测试，Z参数阻抗特性测试验证模型的正确性，将该模型用于LDO稳压器的敏感度预测。在敏感度仿真过程中，通过分析关键子电路和不断增加寄生元件，仿真不同寄生因素对敏感度影响的权重。将仿真结果与传导直接注入法(DPI)片上测试结果对比，仿真结果与DPI测试在频域1MHz至1GHz匹配。

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