作者:陈刚,解玉凤,林殷茵 单位:南京电子器件研究所(中电科技集团公司第55所) 出版:《固体电子学研究与进展》2013年第02期 页数:4页  (PDF与DOC格式可能不同) PDF编号:PDFGTDZ2013020170 DOC编号:DOCGTDZ2013020179 下载格式:PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
  • 介绍了一种用于环境温度监测的新型高精度宽电压范围的CMOS温度传感器,采用0.13μm标准CMOS工艺的厚氧器件实现,芯片面积为37μm×41μm。该温度传感器在-20~60°C的温度范围内,采用两点校正方法之后,温度误差为-0.2°C/0.5°C。该温度传感器可以在1.8~3.6V的电源电压范围内安全可靠地工作,并且具有较高的电源抑制比。测试结果表明,其输出电压斜率为3.9mV/°C,1.8V下功耗为1.3μW。

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