《基于硅硅键合技术的高精度压力传感器的研究》PDF+DOC

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2. 《具有500倍保护的单晶硅压力传感器》PDF+DOC 具有单晶硅薄膜的标准压阻硅压力传感器通常在不到满量程10倍的压力下损坏，通过采用在薄膜正下方加上停止面，我们制造了具有500倍过量程保护的传感器.这些传感器完全由单晶硅采用硅键合技术形成.在低的压力下，芯片灵敏度高达3mv/m/psi，设计成在10psi时输出100mv的传感器在过压力达5000ps......
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