作者：田犁,苗田乐,危峻,汪辉 单位：东南大学 出版：《电子器件》2013年第06期 页数：5页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFDZQJ2013060040 DOC编号：DOCDZQJ2013060049 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
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    • 基于SOI衬底材料提出了一种新型的CMOS图像传感器有源像素结构，建立了与之相对应的二维器件仿真模型，利用Sentaurus Device仿真工具对该结构的单粒子效应(Single-Event Effects)进行了模拟仿真研究。仿真结果显示在像素周围引入P+重掺杂保护层能够有效隔离像素使受辐射像素相邻像素收集到的噪声电子数减小，证明此像素结构具有一定的抗单粒子辐照性能。

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