作者：Tao Zhong,Ying Huang,Chih-Hsun Hsu,Scott Williams,Benjamin Schwarz 单位：中国科学院上海微系统与信息技术研究所;中国材料研究学会 出版：《功能材料与器件学报》2013年第06期 页数：2页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFGNCQ2013060100 DOC编号：DOCGNCQ2013060109 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑

    • 称为背照式(BSI)CIS的新颖CIS比传统的前照明(FI)CIS对光更敏感，且噪声小。BSI刻蚀中的关键参数是侧壁剖面角、微沟槽形成和硅损宏观负载效应。本文中，采用Applied CenturaAdvantEdgeTM MesaTM刻蚀室开发BSI CSI刻蚀工艺。调整C4F8流量可实现侧壁角的目标剖面。调整压力使BSI焊盘底部处微沟槽形成最小。对于硅损的宏观负载，DC(Div.Cap)和MRAD(Motorized Radial Assembly Dial)调整能实现最小的硅损失，有良好的均匀性。

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