作者：彭华,王用鑫 单位：东南大学 出版：《电子器件》2016年第06期 页数：7页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFDZQJ2016060330 DOC编号：DOCDZQJ2016060339 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑

    • 为提高温度传感器的能量转换效率并降低功耗，提出了一种基于双振荡器的CMOS温度传感器。提出的温度传感器利用两个环形振荡器生成随温度变化的频率，通过调整线性频率的差斜率，来提高温度传感器的线性度，最后使用一个频率数字转换器完成数字输出。此外，还提出了一个制程补偿方案，经过一点校正法后可提高温度传感器的精确度。采用65 nmCMOS工艺进行了实现，面积仅为0.01 mm2。测试结果显示，校正后提出温度传感器的分辨率为0.2℃/LSB，并且在0~125℃的温度范围内，20个实测样品的最大误差小于&#177；1.2℃。相比其他类似传感器，当转换率高达480 ksample/s时，功率消耗500 m W，即每次转换的能量最小，仅为0.001 m J/sample。

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