作者：许高斌,李凌宇,陈兴,马渊明 单位：中国电子学会 出版：《电子测量与仪器学报》2013年第12期 页数：7页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFDZIY2013120010 DOC编号：DOCDZIY2013120019 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
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    • 设计分析了一种SOI基纳米硅薄膜的压阻式压力传感器，构建SOI埋层氧化层、SOI上层硅和AlN绝缘层多层压力敏感薄膜结构。利用纳米硅薄膜作为压敏电阻，AlN薄膜作为绝缘层，埋层氧化层自停止腐蚀制作压力空腔。该传感器的制备工艺简单，一致性、重复性好。通过ANSYS模拟分析了压力敏感层结构参数对传感器灵敏度的影响以及传热特性，验证了结构设计和理论模型的正确性和合理性。研究表明，该传感器灵敏度可达到1.3 mV/(kPa&#183；V)，输出电压可达到0.65 mV，且具有较好的线性度和高温性能，可实现对0~100 Pa超微压的测量。

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