作者：郝秋来 单位：华北光电技术研究所 出版：《激光与红外》2014年第10期 页数：6页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFJGHW2014100020 DOC编号：DOCJGHW2014100029 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
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    • 锑化铟(indium antimonide，熔点~525℃)是一种窄禁带半导体。由于其高的电子迁移率、小的有效质量及在极性III-V族材料中有最大的g因子，因而在高速器件、磁阻器件等方面具有潜在的电子学应用价值，而且已被广泛用于磁敏器件、红外探测器等。由于具有较大的波尔半径(60 nm)，使得InSb纳米结构成为具有吸引力的进行量子效应研究的半导体。因为这些特性，已有一些关于InSb纳米结构生长的报道。本文描述了近期InSb纳米结构生长的情况。透射电子显微镜等形貌像显示纳米结构为纳米晶体或纳米线，器件制备和性能测试显示其下一步的应用能力。

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