作者：张炳强,潘国峰,张培硕,郭倩 单位：中国电子科技集团公司第十三研究所 出版：《微纳电子技术》2014年第02期 页数：7页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFBDTQ2014020030 DOC编号：DOCBDTQ2014020039 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
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    • 采用溶胶凝胶法制备了纯TiO2和掺杂质量分数为5%，7%和9%CuO的TiO2纳米粉体，并对样品进行了不同温度(500，700和900℃)的退火处理。通过涂敷法制备成气敏元件，利用XRD和SEM对样品的结构和表面形貌进行了表征，并利用气敏测试系统检测其气敏特性。研究了CuO掺杂质量分数和退火温度对TiO2厚膜气敏性能的影响，进一步讨论了TiO2厚膜的气敏机理。结果表明：CuO的掺杂有效抑制了TiO2晶粒的生长，增加了对光子的利用率，降低了工作温度，提高了气敏特性。700℃退火后，质量分数为7%的CuO掺杂TiO2样品的结晶尺寸达到14.5 nm，气敏元件表现出对丙酮蒸汽单一的选择性，灵敏度为3 567，响应和恢复时间均为2 s。

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